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 昨日，全球領先的MEMS代工企業賽微電子發表公告稱，公司于2021 年 4 月 1 日與青州市人民政府簽署了《合作協議》，擬在青州經濟開發區發起投資 10 億元分期建設聚能國際 6-8 英寸硅基 氮化鎵功率器件半導體制造項目。

公告進一步指出，該項目總占地面積 30 畝，一期建成投產后將形成 6-8 英寸 GaN 芯片晶圓 5,000 片/月的生產能力，二期建成投產后將形成 6-8 英寸 GaN 芯片晶圓 12,000 片/月的生產能力，將為全球 GaN 產品客戶的旺盛需求提供成熟 的技術支持和產能保障。

根據公告，該項目一期計劃建設周期為 9 個月，2021 年底前做好投產前準備，2022 年 上半年投入生產，一期產能投產達效后預計可新增年銷售收入 5 億元，利稅 8,000 萬元。

賽微在公告中表示，公司的GaN(氮化鎵)業務市場需求旺盛、自主研制產品性能優異，但卻嚴重受制于外部不可控產能。因此，公司GaN 業務的進一步發展急需自主可控產能的 保障。此次公司與青州市人民政府簽署《合作協議》，共同推進 6-8 英寸 GaN 芯片晶圓制造項目的建設，將在租賃現成土地廠房的基礎上進行適應性補充建設，且已經鎖定成套熱線設備、目標是在 2021 年內建成并做好投產準備，有利 于公司進一步完善 GaN 業務的全產業鏈 IDM(垂直整合制造)布局，在現有產業 鏈合作基礎上進一步加強產能保障，把握 GaN 業務發展的關鍵機遇窗口，逐步形 成自主可控、全本土化、可持續拓展的 GaN 材料、設計、制造能力，促進公司第三代半導體業務的長遠發展。

截至目前，賽微已于 2018 年 7 月在青島市嶗山區投資設立“青島聚能創芯 微電子有限公司”，主要從事功率與微波器件，尤其是氮化鎵(GaN)功率與微 波器件的設計、開發;已于 2018 年 6 月在青島市即墨區投資設立“聚能晶源(青 島)半導體材料有限公司”，主要從事半導體材料，尤其是氮化鎵(GaN)外延 材料的設計、開發、生產，該公司投資建設的第三代半導體材料制造項目(一期) 已于 2019 年 9 月達到投產條件，正式投產。作為公司 GaN 業務一級平臺公司， 聚能創芯匯聚了業界領先團隊，擁有第三代半導體材料生長、工藝制造、器件設 計等全產業鏈技術能力及儲備，且截至目前在 6-8 英寸硅基 GaN 外延晶圓、GaN 功率器件及應用方面已形成系列產品并實現批量銷售。

公司本次與青州市人民政府簽署《合作協議》，擬在青州市建設 6-8 英寸硅 基氮化鎵功率器件半導體制造項目，若項目順利建成，將有助于公司進一步完善 GaN 業務的全產業鏈布局，把握 GaN 業務發展的關鍵機遇窗口，逐步形成自主可 控的生產制造能力，促進公司相關業務的長遠發展，有利于提高公司的綜合競爭 實力，將對公司的長遠發展產生積極影響。