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 據報道，上海交通大學密西根學院但亞平課題組研究發現，自組裝單分子膜摻雜會在硅襯底引入碳缺陷，從而降低硅中磷雜質的電學激活率。研究人員由此提出了自組裝單分子膜摻雜技術的研究方向，為發展無缺陷態的單分子膜摻雜技術奠定了基礎。相關成果日前發表于《自然—通訊》雜志。

傳統的離子注入摻雜依賴高能離子轟擊半導體晶體實現，半導體晶體常遭到破壞。其電學性能因此惡化，而且雜質原子在半導體內隨機分布，無法滿足當前先進集成電路制造工藝的需求。自組裝單分子膜摻雜不會在半導體中引入物理損傷，而且可精確控制雜質分布。該技術在超淺結的形成、雜質劑量的控制、復雜幾何結構的摻雜以及單個雜質原子的大規模操控等方面擁有巨大的潛在優勢，但有機分子載體可能在半導體中引入碳缺陷，從而惡化器件的電學特性。

但亞平課題組首次采用低溫霍爾效應和深能級瞬態譜等技術，直接觀測到碳缺陷，并對碳缺陷態本身及其產生的電學影響進行了深入研究。