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 據悉，來自日本東京工業大學和早稻田大學的一個研究小組已經開發出一種生產薄膜單晶硅太陽能電池的新技術，該技術有望顯著降低生產成本，同時保持電池的轉化效率。

　　科學家聲稱他們能夠開發出高質量薄膜單晶硅，厚度約10μm，晶體缺陷密度也有所降低。硅的密度已經降低到了硅晶圓純度的水平。

　　研究小組解釋說，具有高結晶質量的單晶薄膜是通過區域加熱重結晶法(ZHR法)使硅片表面粗糙度達到0.2至0.3nm而獲得的。“使用雙層多孔硅層可以容易地剝離生長的薄膜，而且得到的基底可以被再利用或者用作薄膜生長的蒸發源，這大大減少了材料的損耗。”

　　據科學家介紹，這一實驗過程同時還證明了在0.1-0.2nm范圍內的硅片表面粗糙度對晶體缺陷密度的形成具有重要的影響。