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據(jù)悉， 俄羅斯國(guó)家研究型核大學(xué)國(guó)立核能研究大學(xué)莫斯科工程物理學(xué)院（MEPhI）的學(xué)者與俄羅斯科學(xué)院西伯利亞分院金屬物理研究所的專(zhuān)家合作，研發(fā)出一種能夠提高高頻微型電路操作速率的納米結(jié)構(gòu)。

　　該納米結(jié)構(gòu)是一種由常用半導(dǎo)體組成的層狀材料。研究人員挑選了制造新型納米結(jié)構(gòu)的適宜條件：過(guò)渡層結(jié)構(gòu)、厚度和活躍層的成分，因此，結(jié)構(gòu)質(zhì)量非常高。在提高材料“活躍”導(dǎo)電層中銦含量的情況下，有助于降低結(jié)構(gòu)中的電子質(zhì)量，提高它們的速度，因此電子儀器的運(yùn)行也能加快。

　　不過(guò)，鄰層晶格的機(jī)械壓力將因此增強(qiáng)。物理學(xué)家們?cè)谥饾u增加活躍層中銦含量的同時(shí)，也增加了厚實(shí)的過(guò)渡層，由此解決了上述問(wèn)題。