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據(jù)悉，最近全力進軍半導體業(yè)務的Cree宣布，將投資10億美元，擴大SiC碳化硅產(chǎn)能，這將加速從Si硅向SiC碳化硅的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型，滿足EV電動汽車和5G市場需求。Cree表示，此次產(chǎn)能擴大，將帶來SiC碳化硅晶圓制造產(chǎn)能的30倍增長和SiC碳化硅材料生產(chǎn)的30倍增長，以滿足2024年之前的預期市場增長。

Cree表示，他們在公司美國總部北卡羅萊納州達勒姆市建造一座采用最先進技術的自動化200mm SiC碳化硅生產(chǎn)工廠和一座材料超級工廠。這項標志著公司迄今為止最大的投資，將為Wolfspeed SiC碳化硅和GaN-on-SiC碳化硅基氮化鎵業(yè)務提供動能。在2024年全部完工之后，這些工廠將極大增強公司SiC碳化硅材料性能和晶圓制造產(chǎn)能，使得寬禁帶半導體材料解決方案為汽車、通訊設施和工業(yè)市場帶來巨大技術轉(zhuǎn)變。

Cree首席執(zhí)行官Gregg Lowe先生表示：“我們不斷地看到在汽車和通訊設施領域采用SiC碳化硅的優(yōu)勢來驅(qū)動創(chuàng)新所產(chǎn)生的巨大效益。但是，現(xiàn)有的供應卻遠遠不能夠滿足我們對于SiC碳化硅的需求。今天，我們宣布了公司迄今在生產(chǎn)制造的最大投資，將大幅地提升供應，幫助客戶為市場提供變革性的產(chǎn)品和服務。這項在設備、基礎設施、公司人力方面的巨大投入，將為我們顯著擴大產(chǎn)能。與2017財年第一季度（也就是我們開始擴大產(chǎn)能的第一階段）相比較，能夠帶來SiC碳化硅晶圓制造產(chǎn)能的30倍增長和材料生產(chǎn)的30倍增長。我們相信這將使得我們能夠滿足Wolfspeed SiC碳化硅材料和器件在未來5年乃至更長遠的預期增長。”

Cree進一步指出，這項計劃將為業(yè)界領先的Wolfspeed SiC碳化硅業(yè)務提供附加產(chǎn)能。通過增建現(xiàn)有的建筑設施，作為面積253,000平方英尺的200mm功率和RF射頻晶圓制造工廠，邁出滿足預期市場需求的第一步。新的North Fab將被設計成能夠全面滿足汽車認證的工廠，其生產(chǎn)提供的晶圓表面積將會是今天現(xiàn)有的18倍，剛開始階段將進行150mm晶圓的生產(chǎn)。公司將把現(xiàn)有在達勒姆的生產(chǎn)和材料工廠轉(zhuǎn)變?yōu)橐蛔牧铣壒S。

Cree首席執(zhí)行官Gregg Lowe先生同時還表示：“這些SiC碳化硅制造超級工廠，將加速當今最快增長市場的創(chuàng)新。通過提供解決方案，幫助提高EV電動汽車的行駛里程并減少充電時間，同時支持5G網(wǎng)絡在全世界的部署。我們相信這代表著SiC碳化硅和GaN氮化鎵技術和制造有史以來最大的資本投資，也是一種在財政上負責任的方式。通過采用現(xiàn)有工廠和安裝絕大部分的整新工具，我們相信我們可以實現(xiàn)提供最先進技術的200mm fab，并且成本大約僅為一座新fab的1/3。”

無獨有偶，另一家擁有全供應鏈優(yōu)勢的SiC大廠羅姆在早前也發(fā)布了他們的擴產(chǎn)計劃。

羅姆在早前發(fā)布新聞稿宣稱，將擴增使用于電動車(EV)等用途的碳化硅(SiC)電源控制芯片產(chǎn)能，將在旗下生產(chǎn)子公司“ROHM Apollo”的筑后工廠(福岡縣)內(nèi)興建新廠房，預計于2019年2月動工、2020年12月完工。此外，羅姆于SiC電源控制芯片事業(yè)策略說明會上表示，將投資約200億日圓，于2020年倍增SiC電源控制芯片產(chǎn)能，而羅姆也考慮于宮崎縣進行增產(chǎn)投資，在2025年3月底前累計將投資600億日圓，屆時將SiC電源控制芯片產(chǎn)能大幅擴增至2016年度16倍。

另外，日本昭和電工也多次發(fā)表了產(chǎn)能擴充聲明。該公司之前分別于2017年9月、2018年1月宣布增產(chǎn)SiC晶圓，不過因SiC制電源控制晶片市場急速成長、為了因應來自顧客端旺盛的需求，因此決定對SiC晶圓進行第3度的增產(chǎn)投資。昭和電工SiC晶圓月產(chǎn)能甫于2018年4月從3,000片提高至5,000片(第1次增產(chǎn))，且將在今年9月進一步提高至7,000片(第2次增產(chǎn))，而進行第3度增產(chǎn)投資后，將在2019年2月擴增至9,000片的水準、達現(xiàn)行(5,000片)的1.8倍。

除了晶圓供應商擴產(chǎn)，下游的代工廠也在加速布局，迎接即將爆發(fā)的SiC熱潮。

X-Fab在去年九月宣布，計劃將其位于德克薩斯州6英寸SiC工藝工廠產(chǎn)能翻番，以滿足客戶對高效功率半導體器件日益增長的需求。為了使容量翻倍，X-Fab德州工廠購買了第二臺加熱離子注入機，用于制造6英寸SiC晶圓。預計到在2019年第一季度及時生產(chǎn)，以滿足預計的近期需求。

X-Fab德州工廠的Lloyd Whetzel說：“隨著SiC的日益普及，我們早就明白，提高離子注入能力是我們在SiC市場上的持續(xù)制造成功的關鍵。但這只是我們針對特定SiC制造工藝改進的總體資本計劃的第一步。這體現(xiàn)了X-Fab對SiC行業(yè)的承諾，并保持我們在SiC鑄造業(yè)務中的領導地位。”

來自我國臺灣地區(qū)的晶圓代工廠漢磊在去年八月也宣布，決定擴大碳化硅（SiC）產(chǎn)能，董事會決議斥資3.4億元新建置6吋SiC生產(chǎn)線，為臺灣地區(qū)第一家率先擴增SiC產(chǎn)能的代工廠，預計明年下半年可以展開試產(chǎn)。據(jù)了解，漢磊目前已建立4吋SiC制程月產(chǎn)能約1500片，預計將現(xiàn)有6吋晶圓廠部分生產(chǎn)線改為SiC制程生產(chǎn)線，先把制程建立起來，以滿足車載、工控產(chǎn)品等客戶強勁需求，因6吋的SiC售價達4000美元（約12萬臺幣），估計每月只要產(chǎn)出2000到3000片，帶動營收就可望增加2、3億元以上。

芯片廠方面，意法半導體、羅姆、英飛凌和力特等廠商都在卯足勁擴充自己的勢力，這個市場的一場角逐大戰(zhàn)，必將打響。