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　　碳納米管組成的薄膜有著顯著的物理和化學性能的組合：機械性能穩定、靈活和具有伸縮性，同時有著對各種化學和特殊的電光學性能基底的高附著性。與金屬薄膜相比，碳納米管薄膜具有高導電性、輕薄和靈活性。它們可以被廣泛使用于各種電子設備：屏幕、調制器、天線、輻射熱測量計等。

　　為了碳納米管薄膜的電動力學特性有效地運用于實踐中，必須研究其物理性質。最有趣的是在太赫茲和遠紅外線范圍(輻射波長為2毫米至500毫微米)，在這個范圍內薄膜表現出金屬導體的特性。

　　俄科研人員在太赫茲和紅外線頻率范圍研究了用合成氣相淀積法獲得的碳納米管薄膜。一部分薄膜的制作使用了從0.3—13微米的不同長度的納米管。另外一部分使用了在氧離子作用下獲得的薄膜，這種作用改變了薄膜的電性能。

　　研究人員發現，碳納米管薄膜的導電性可用金屬的導電性來描述。在這樣的薄膜中自由電子的能量足以克服連續納米管之間的障礙，使得薄膜中電子的移動幾乎是“自由”的，從而導致高導電性。但當納米管的長度降低到0.3微米或等離子體作用時間大于100秒時，在太赫茲頻率下的導電性大大降低。

　　研究發現，導致上述現象的原因是，在比較短的納米管或者氧離子作用下制成的薄膜中，電阻溫度系數增加。在氧離子作用持續時間超過100秒或當納米管長度小于0.3微米時，電阻溫度系數達到飽和，在這種情況下原始碳納米管薄膜結構被破壞，原有屬性消失。