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　　在存儲器的尺寸、容量和可負擔性方面，消費類閃存驅(qū)動器已取得了巨大的進步，但新的機器學習和大數(shù)據(jù)應用程序正繼續(xù)推動對創(chuàng)新的需求。此外，支持云的移動設備和未來的物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點也需要節(jié)能且體積更小的內(nèi)存。而當前的閃存技術(shù)卻需要相對較大的電流來讀取或?qū)懭霐?shù)據(jù)。

　　鑒于此，東京大學工業(yè)科學研究所科學家開發(fā)了一種基于鐵電和反鐵電場效應晶體管(FET) 的概念驗證3D堆疊存儲單元，該晶體管具有原子層沉積的氧化物半導體通道。FET可以非易失性方式存儲1和0，這意味著它不需要一直供電;垂直設備結(jié)構(gòu)則增加了信息密度并降低了操作能源需求。

　　氧化鉿和氧化銦層沉積在垂直溝槽結(jié)構(gòu)中，鐵電材料具有在同一方向排列時最穩(wěn)定的電偶極子，鐵電氧化鉿自發(fā)地使偶極子垂直排列。信息通過鐵電層中的極化程度存儲，由于電阻的變化，系統(tǒng)可以讀取。另一方面，反鐵電體喜歡在擦除狀態(tài)下上下交替偶極子，這使得氧化物半導體溝道內(nèi)的擦除操作變得有效。

　　研究證實，該器件在至少1000個周期內(nèi)都可保持穩(wěn)定，研究人員還使用第一原理計算機模擬繪制了最穩(wěn)定的表面狀態(tài)。

　　研究人員稱，新方法或?qū)O大地改善非易失性存儲器，同時有助于實現(xiàn)下一代消費電子產(chǎn)品。