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銻化銦，分子式為InSb，是銻（Sb）和銦（In）的化合物，外觀為晶體狀，有銀色金屬光澤，是閃鋅礦型結構立方晶系，質地脆、熔點低、不溶于水、有毒性。銻化銦單晶是重要的半導體材料，是III－V族化合物半導體，為直接帶隙半導體材料，具有禁帶寬度較窄、電子遷移率高、量子效率高、響應速度快等優點，可用于紅外探測器等制造中。

銻化銦是研究起步較早、目前技術研究較為深入的III－V族半導體材料，在20世紀50年代已制備出單晶。銻化銦單晶可采用區域熔煉法、直拉法進行制備。多次采用區域熔煉法可減少銻化銦原料的雜質含量，提高其純度；常壓直拉法（CZ法）是目前銻化銦單晶制備的主流方法，通常可制備直徑2－5英寸的晶體，領先企業制備的晶體尺寸已經達到8英寸。

銻化銦單晶，是重要的襯底材料，制造而成的銻化銦襯底可以廣泛應用在紅外探測器、光磁探測器、霍爾器件、磁阻器件等產品生產中。在紅外探測器領域，銻化銦單晶是制造制冷型紅外探測器的敏感材料，銻化銦探測器可采用液氮制冷，具有熱靈敏度高、圖像質量優的特點，可廣泛應用在軍用與民用領域，例如武器裝備、航空航天、儀器儀表、醫學診斷、工業檢測、科研等方面。

根據新思界產業研究中心發布的《2022－2026年銻化銦單晶行業深度市場調研及投資策略建議報告》顯示，利用銻化銦單晶制造的紅外探測器在軍工領域主要用來制造導彈，例如紅外空空導彈、FIM－92防空導彈等。在軍用高性能紅外探測器制造中，可采用的靈敏材料主要是碲鎘汞材料與銻化物材料。與碲鎘汞材料相比，銻化銦單晶只能制造單色制冷紅外探測器，但制備難度較低、成品率較高，可提高軍用紅外探測器產業化生產能力，并降低其生產成本，經濟效益更為明顯。

新思界行業分析人士表示，銻化銦單晶于20世紀50年代初期被發現，歐美國家技術與應用研究起步較早，目前主要生產商有IQE集團、5N Plus集團等。我國于20世紀50年代后期開始銻化銦單晶研究，逐步實現自主生產，目前相關研究機構有昆明物理研究所、華北光電技術研究所等，主要廠商有中航紅外、光智科技等。中航紅外具備銻化物探測器研發生產能力，2021年9月與上海臨港新片區簽訂投資協議，推進銻化銦芯片產業發展；光智科技擁有應用于紅外銻化銦晶體生長的提拉法工藝專利。