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中國科學報援引西北工業大學材料學院消息，該校教授趙廷凱團隊對半導體性單壁碳納米管的可控制備進行深入研究，提出一種新的多循環生長工藝，選擇性合成的半導體性單壁碳納米管豐度高達93.2%，產率從0.76%提高到1.34%，為大規模合成高純度半導體性單壁碳納米管提供了新方法。

相關研究成果《通過催化劑再生多循環工藝生長高純度與高產率半導體性單壁碳納米管》正式發表于最新一期《化學工程》雜志。

傳統制備方法獲得的單壁碳納米管，通常是金屬性和半導體性單壁碳納米管的混合物，并難以分離，嚴重阻礙了其廣泛應用。

西北工業大學運用新工藝技術，能夠成功實現高純度與高產率半導體性單壁碳納米管的可控制備。

該成果為大規模選擇性生長高純度半導體性單壁碳納米管提供了有效手段和新思路，為半導體性單壁碳納米管在納米電子器件、信息通訊和生物醫藥等領域的廣泛應用打下堅實基礎。

據了解，半導體性單壁碳納米管具有原子級厚度、表面無懸鍵的準一維管狀結構和高電子遷移率等優異電學性質，因而被視為10 nm以下高性能、低功耗場效應晶體管溝道材料最有力候選。

單壁碳納米管已被廣泛應用于許多電子器件，包括顯示器、存儲器、傳感器、透明導電薄膜以及碳納米管計算機等。

IBM的理論計算表明，若完全按照現有二維平面框架設計，相比硅基技術，碳管技術具備 15 代的技術優勢。

另外，碳基材質的特殊性，它能讓電路做到像創可貼一樣柔軟，半導體型單壁碳納米管有望在新一代柔性電子器件中獲得應用。