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　　王育華介紹，長余輝材料研究中，有許多余輝機理模型，如Matsuzawa模型、Aitasalo模型、Dorenbos-Nakazawa模型，以及Clabau模型。其中，Dorenbos-Nakazawa模型，因其能較好地解釋大多數(shù)余輝材料的機理而被業(yè)內(nèi)廣泛認(rèn)可。

　　“然而，該模型在推斷其電子陷阱、載流子/陷阱的歸屬方面依然缺乏足夠的實驗證據(jù)。”王育華說，一般來說，稀土摻雜的余輝材料主要是由 Eu2+與三價稀土離子 Ln3+(Dy3+、 Pr3+、 Nd3+、 Ho3+、 Sm3+等)共摻得到，其中Eu2+通常被用作發(fā)光中心，而對三價共摻離子 Ln3+的定義則一直不夠明確。以往的許多研究中將Ln3+定義為俘獲中心，但Ln3+是作為電子陷阱還是空穴陷阱仍有爭議，這使得長余輝材料的進一步發(fā)展和應(yīng)用受到很大限制。

各種余輝機制：(a) Dorenbos模型, (b) Clabau模型, (c) Matsuzawa模型和(d) Aitasalo模型(受訪者供圖)

　　如果Ln3+在余輝產(chǎn)生過程中捕獲電子，它將部分轉(zhuǎn)化為 Ln2+，因此在光譜中會觀察到 Ln2+的特征發(fā)射。基于以上思路，王育華教授團隊以BaZrSi3O9:Eu2+, Sm3+藍色長余輝材料作為切入點，研究了Eu2+和Sm3+在余輝過程中各自的作用，缺陷和陷阱的對應(yīng)關(guān)系。通過監(jiān)測激發(fā)前后BaZrSi3O9:Eu2+, Sm3+中Sm2+離子的特征發(fā)射光譜以及XANES吸收譜線的變化，說明了Sm3+在余輝過程中充當(dāng)電子陷阱。以此為基礎(chǔ)，陸續(xù)觀測到了其他Ln3+離子與Sm3+的相同現(xiàn)象，證實了Eu2+，Ln3+激活的長余輝材料中，共摻離子Ln3+做為電子陷阱的推論。

　　“該研究提出的更為科學(xué)詳細的余輝機理模型，對于指導(dǎo)新型長余輝材料的開發(fā)和研究具有重要意義。”王育華說。