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有無(wú)添加劑的錫基鈣鈦礦薄膜在旋涂過(guò)程中的原位熒光光譜，以及結(jié)晶生長(zhǎng)示意圖。受訪者供圖

 

　　“金屬鹵化物鈣鈦礦材料具有優(yōu)異的光電性質(zhì)和可溶液加工特性，在太陽(yáng)能電池、發(fā)光二極管、光電探測(cè)器等領(lǐng)域展現(xiàn)出廣闊的應(yīng)用前景。然而，高效鈣鈦礦發(fā)光二極管目前仍以環(huán)境不太友好的鉛基鈣鈦礦為主，這會(huì)限制其實(shí)際應(yīng)用。”論文通訊作者、南京工業(yè)大學(xué)柔性電子（未來(lái)技術(shù)）學(xué)院王娜娜教授說(shuō)，近年來(lái)，團(tuán)隊(duì)一直致力于開(kāi)發(fā)環(huán)境友好的錫基鈣鈦礦材料，通過(guò)反溶劑輔助結(jié)晶、溶劑氛圍調(diào)控結(jié)晶等方法來(lái)改善錫基鈣鈦礦的薄膜質(zhì)量，相繼將錫基鈣鈦礦發(fā)光二極管的外量子效率提高到3%和5.3%，但是器件性能仍遠(yuǎn)低于鉛基器件，這主要是由于錫基鈣鈦礦的結(jié)晶速度過(guò)快導(dǎo)致形成的薄膜缺陷態(tài)較多，而缺陷態(tài)往往是發(fā)光猝滅中心，使得器件發(fā)光效率難以提升。

 

　　為了解決這個(gè)世界難題，該團(tuán)隊(duì)通過(guò)原位光譜表征技術(shù)，發(fā)現(xiàn)錫基鈣鈦礦薄膜生長(zhǎng)初期（10秒內(nèi)）晶粒的快速聚集是缺陷態(tài)形成的主要原因。團(tuán)隊(duì)另辟思路，摒棄原先“邊制膜邊完善”的思路，直接從源頭即錫基鈣鈦礦薄膜生長(zhǎng)初期進(jìn)行干預(yù)。

 

　　“如果將錫基鈣鈦礦薄膜比作一張煎餅，那么，原先的反溶劑輔助結(jié)晶方法就像是在一張不均勻攤制而成的‘煎餅’上附加作用力，讓‘煎餅’更平整；溶劑氛圍調(diào)控結(jié)晶方法則是通過(guò)控制環(huán)境讓‘煎餅’更均勻。”論文共同第一作者、南京工業(yè)大學(xué)副教授常進(jìn)介紹，團(tuán)隊(duì)嘗試在鈣鈦礦前驅(qū)體溶液中引入與碘化亞錫等組分有強(qiáng)化學(xué)作用的一類(lèi)添加劑，有效抑制鈣鈦礦晶粒的快速聚集，減少鈣鈦礦晶體生長(zhǎng)過(guò)程中發(fā)光猝滅中心的形成，使得晶粒更加有序地“集結(jié)”。

 

　　研究發(fā)現(xiàn)，基于這一方法構(gòu)筑的錫基鈣鈦礦發(fā)光二極管器件外量子效率達(dá)到8.3%，是目前錫基鈣鈦礦發(fā)光二極管的最高效率，為實(shí)現(xiàn)更高性能的錫基鈣鈦礦光電器件提供了全新的思路和途徑。