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　　據介紹，金屬鹵化物鈣鈦礦是一類明星半導體材料，在太陽能電池、發光二極管、輻射探測領域展現出應用前景。這些光電子器件主要采用多晶薄膜作為光活性材料，但多晶形式的“先天缺陷”顯著降低器件性能和使用壽命。相對于碎鉆般的多晶薄膜，鈣鈦礦單晶晶片如同完美的“非洲之星”鉆石，其極低的缺陷密度僅為多晶薄膜的十萬分之一左右，同時兼具優異的光吸收、輸運能力以及穩定性，成為更理想的候選材料。然而傳統制備方法僅能以高溫、生長速率慢的方式制備幾種毫米級單晶，限制了單晶晶片的實際應用。

　　基于此，該研究團隊研發的鈣鈦礦單晶薄膜通用生長技術讓毫米級“碎鉆”長成了厘米級“鉆石”。“這項生長技術具有普適性，可以實現30余種金屬鹵化物鈣鈦礦半導體的厘米級單晶薄膜生長。”該成果的主要完成人、華東理工大學侯宇教授表示。這一成果不但提供了一條普適、高效、低條件的單晶薄膜生長路線，還基于這一材料組裝出高性能單晶薄膜的輻射探測器件，目前主要用于X光探測和成像。

　　下一步，此項研究將進一步開發動態高分辨成像技術，為鈣鈦礦晶片的輻射探測應用落地鋪平道路。