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　　碳化硅是一種性能優異的半導體材料。相比同類硅基器件，碳化硅器件具有耐高溫、耐高壓、高頻特性好、體積小和重量輕等優點，在電動汽車、光伏、5G等產業領域具有重要的應用價值。

　　公報說，天科合達將為英飛凌提供用于生產碳化硅半導體的6英寸碳化硅晶體，這類半導體在長期需求預測中占可觀的份額。

　　英飛凌首席采購官安赫莉克·范德堡表示，英飛凌目前正加倍投資碳化硅技術和產品組合，在此背景下，公司正在實施一項多供應商和多國采購戰略，以增強供應鏈彈性，使廣泛的客戶群受益。

　　中國科學院物理研究所研究員、天科合達首席科學家陳小龍介紹，研發團隊通過傳統“氣相法”和新式“液相法”，可以制造出高質量的大塊碳化硅晶體。經過不懈攻關，制造的碳化硅晶體直徑已從小于10毫米逐步增大到2英寸、4英寸、6英寸和8英寸(1英寸約合25.4毫米)，有效降低了單位成本。

　　據悉，這一中國研發團隊歷時近20年，從基礎研究、應用研究到成果轉化，形成了具有自主知識產權的技術路線。