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 據(jù)報道，11月25-27日，由深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局特別支持，國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，深圳第三代半導體研究院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司共同承辦的第十六屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導體論壇（IFWS 2019）在深圳會展中心召開。

11月26日下午，“襯底、外延及生長裝備” 分會如期召開。本屆分會由中微半導體設備（上海）股份有限公司、蘇州鍇威特半導體股份有限公司、中國電子科技集團第十三研究所、國家電網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司、英諾賽科科技有限公司協(xié)辦。

碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）是重要的第三代半導體材料，在大功率高頻器件中具有重要的應用，其材料水平直接決定了器件的性能。會上，日本國立材料研究所SPring-8 BL15XU線站站長、東京工業(yè)大學兼職教授坂田修身，美國亞利桑那州立大學助理教授鞠光旭，俄羅斯STR Group, Inc.資深研發(fā)工程師Andrey SMIRNOV，鄭州大學Mussaab I. NIASS，德國ORCHESTRA總裁Guido COLOMBO，美國Aymont Technology Inc總裁Larry B. ROWLAND，美國NAURA-Akrion, Inc.首席技術(shù)官Ismail I. KASHKOUSH，廈門大學副教授林偉，中國科學院半導體研究所何亞偉等來自中外的強勢力量聯(lián)袂帶來精彩報告。北京大學物理學院教授、理學部副主任沈波，山東大學教授、晶體材料國家重點實驗室副主任徐現(xiàn)剛共同主持了本次分會。

碳化硅材料，具有禁帶寬度大、熱導率高、載流子飽和遷移速度高、臨界擊穿電場強度高、化學穩(wěn)定性好等優(yōu)點，在高溫、高頻、抗輻射、大功率和高密度集成電子器件方面有著廣泛的應用。SiC單晶具有200多種同質(zhì)多型體，不同的多型體具有不同的物理性能，尤其在半導體特性方面表現(xiàn)出各自的特性。其中，最為常見且生長技術(shù)較為成熟的是4H-SiC，引起了產(chǎn)業(yè)應用的極大興趣。

廈門大學副教授林偉做了題為“單晶4H型碳化硅臺階生長機理”的主題報告，分享了關于高質(zhì)量單晶型4H-SiC外延生長的研究成果。 盡管4H-SiC在下一代能源器件和高溫器件材料發(fā)揮著重要作用，但生長過程中容易混入不同構(gòu)型的SiC晶體，導致晶體結(jié)構(gòu)呈多型體，易引入對器件性能不利的基面位錯，難以實現(xiàn)高品質(zhì)的晶體外延生長。

一般認為，沿臺階邊緣的優(yōu)先原子擴散是描述臺階流生長模式的一個重要組成部分。在不了解4H-SiC生長機理的性質(zhì)和形成的情況下，研究基于第一性原理模構(gòu)建表面單結(jié)構(gòu)模型，以Si，C原子和SixCy團簇為基本吸附基元，從原子尺度上研究表面臺階與吸附體結(jié)合的能量差異，微觀上了解表面吸附生長規(guī)律，如圖所示。通過對模擬結(jié)果的分析，表征吸附基元的不同遷移行為，通過適當控制和選擇生長過程中的單體，抑制缺陷進而促進高質(zhì)量單晶型4H-SiC外延生長。11月25-27日，由深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局特別支持，國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，深圳第三代半導體研究院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司共同承辦的第十六屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導體論壇（IFWS 2019）在深圳會展中心召開。

11月26日下午，“襯底、外延及生長裝備” 分會如期召開。本屆分會由中微半導體設備（上海）股份有限公司、蘇州鍇威特半導體股份有限公司、中國電子科技集團第十三研究所、國家電網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司、英諾賽科科技有限公司協(xié)辦。

碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）是重要的第三代半導體材料，在大功率高頻器件中具有重要的應用，其材料水平直接決定了器件的性能。會上，日本國立材料研究所SPring-8 BL15XU線站站長、東京工業(yè)大學兼職教授坂田修身，美國亞利桑那州立大學助理教授鞠光旭，俄羅斯STR Group, Inc.資深研發(fā)工程師Andrey SMIRNOV，鄭州大學Mussaab I. NIASS，德國ORCHESTRA總裁Guido COLOMBO，美國Aymont Technology Inc總裁Larry B. ROWLAND，美國NAURA-Akrion, Inc.首席技術(shù)官Ismail I. KASHKOUSH，廈門大學副教授林偉，中國科學院半導體研究所何亞偉等來自中外的強勢力量聯(lián)袂帶來精彩報告。北京大學物理學院教授、理學部副主任沈波，山東大學教授、晶體材料國家重點實驗室副主任徐現(xiàn)剛共同主持了本次分會。

碳化硅材料，具有禁帶寬度大、熱導率高、載流子飽和遷移速度高、臨界擊穿電場強度高、化學穩(wěn)定性好等優(yōu)點，在高溫、高頻、抗輻射、大功率和高密度集成電子器件方面有著廣泛的應用。SiC單晶具有200多種同質(zhì)多型體，不同的多型體具有不同的物理性能，尤其在半導體特性方面表現(xiàn)出各自的特性。其中，最為常見且生長技術(shù)較為成熟的是4H-SiC，引起了產(chǎn)業(yè)應用的極大興趣。

廈門大學副教授林偉做了題為“單晶4H型碳化硅臺階生長機理”的主題報告，分享了關于高質(zhì)量單晶型4H-SiC外延生長的研究成果。 盡管4H-SiC在下一代能源器件和高溫器件材料發(fā)揮著重要作用，但生長過程中容易混入不同構(gòu)型的SiC晶體，導致晶體結(jié)構(gòu)呈多型體，易引入對器件性能不利的基面位錯，難以實現(xiàn)高品質(zhì)的晶體外延生長。

一般認為，沿臺階邊緣的優(yōu)先原子擴散是描述臺階流生長模式的一個重要組成部分。在不了解4H-SiC生長機理的性質(zhì)和形成的情況下，研究基于第一性原理模構(gòu)建表面單結(jié)構(gòu)模型，以Si，C原子和SixCy團簇為基本吸附基元，從原子尺度上研究表面臺階與吸附體結(jié)合的能量差異，微觀上了解表面吸附生長規(guī)律，如圖所示。通過對模擬結(jié)果的分析，表征吸附基元的不同遷移行為，通過適當控制和選擇生長過程中的單體，抑制缺陷進而促進高質(zhì)量單晶型4H-SiC外延生長。