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原子級晶體管制造在柔性材料上實現(xiàn)
文章來源:科技日報     更新時間:2021-06-18 15:45:56

   多年來,超薄、靈活的計算機電路一直是個工程目標(biāo),但技術(shù)障礙阻礙了實現(xiàn)高性能所需的設(shè)備小型化程度。現(xiàn)在,美國斯坦福大學(xué)的研究人員發(fā)明了一種制造技術(shù),可在柔性材料上生產(chǎn)出長度不到100納米的原子級薄晶體管。17日發(fā)表在《自然·電子學(xué)》上的一篇論文詳細(xì)介紹了這項技術(shù)。

  研究人員表示,隨著技術(shù)的進步,所謂的“柔性電子學(xué)”越來越接近現(xiàn)實。柔性電子產(chǎn)品可彎曲、可塑形且有高效的計算機電路,可穿戴或植入人體,執(zhí)行與健康相關(guān)的任務(wù)。

  在適用于柔性電子產(chǎn)品的材料中,2D半導(dǎo)體因其出色的機械和電學(xué)性能,比傳統(tǒng)的硅或有機材料更有應(yīng)用前景。

  迄今為止的工程挑戰(zhàn)是,形成這些幾乎不可能的薄設(shè)備需要一個過程,對柔性塑料基板來說,該過程熱強度太大,會導(dǎo)致這些柔性材料在生產(chǎn)過程中熔化和分解。

  此次,研究人員在一層涂有玻璃的實心硅板上,形成了一個原子級的2D半導(dǎo)體二硫化鉬薄膜,上面覆蓋著微小的納米圖案金電極。由于該步驟是在傳統(tǒng)的硅基板上進行的,因此可以使用現(xiàn)有的先進圖案化技術(shù)對納米級晶體管尺寸進行圖案化,從而實現(xiàn)在柔性塑料基板上無法達到的分辨率。

  被稱為化學(xué)氣相沉積的分層技術(shù),一次只生長一層原子的二硫化鉬薄膜,厚度相當(dāng)于三個原子,但需要溫度達到850攝氏度才能工作。相比之下,由聚酰亞胺制成的柔性基板在360攝氏度左右就會失去形狀,在更高的溫度下會完全分解。

  斯坦福大學(xué)的研究人員首先在堅硬的硅上形成這些關(guān)鍵部件的圖案,并讓它們冷卻,這樣就可以在不損壞的情況下應(yīng)用這種柔性材料。只要在去離子水中簡單“洗個澡”,整個設(shè)備堆疊就會剝離,完全轉(zhuǎn)移到柔性聚酰亞胺上來。

  經(jīng)過一些額外步驟后,研究人員制造出了柔性晶體管,其性能比以往用原子薄型半導(dǎo)體生產(chǎn)的任何晶體管都高出幾倍。研究人員說,雖然可以構(gòu)建整個電路,將其轉(zhuǎn)移到柔性材料上,但后續(xù)層的某些復(fù)雜情況使得轉(zhuǎn)移后這些額外的步驟變得更容易。

  最終,包括柔性聚酰亞胺在內(nèi)的整個結(jié)構(gòu)只有5微米厚,約是人類頭發(fā)的十分之一,這意味著可在給定面積內(nèi)安裝更多晶體管。同時,這些設(shè)備能在低電壓下運行時處理高電流,高性能、速度快、功耗低,且過程中可散熱。

  論文第一作者、斯坦福大學(xué)波普實驗室博士后學(xué)者阿爾文·道斯表示,他正在研究將無線電電路與設(shè)備相結(jié)合,這尤其對于那些植入人體內(nèi)或深度集成到其他物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中的設(shè)備將是又一次技術(shù)飛躍。

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