中國科學(xué)家挑戰(zhàn)硅基霸權(quán)，構(gòu)建理想彈道輸運(yùn)晶體管，實(shí)現(xiàn)二維硒化銦半導(dǎo)體重大跨越
文章來源：新能源網(wǎng) 更新時(shí)間：2025-09-11 15:52:06
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在新型半導(dǎo)體領(lǐng)域，北京大學(xué)團(tuán)隊(duì)和美國麻省理工學(xué)院團(tuán)隊(duì)或許可被稱作是“雙雄”一般的存在。而北京大學(xué)彭練矛院士的學(xué)生、北京大學(xué)博士畢業(yè)生、目前正在美國麻省理工學(xué)院從事博士后研究的姜建峰，繼以第一作者身份在 Nature 發(fā)表彈道輸運(yùn)的硒化銦晶體管研究后，姜建峰近期又以通訊作者兼共同一作的身份，在 Science 發(fā)表了關(guān)于晶圓級集成硒化銦半導(dǎo)體的重要成果。該系列工作不僅進(jìn)一步推動(dòng)了超高性能二維器件的可制造性與系統(tǒng)集成化發(fā)展，也引起了業(yè)界廣泛關(guān)注，并于近期收到了英特爾公司以及美國半導(dǎo)體研究聯(lián)盟的演講邀請。
在此前發(fā)表在于 Nature 的研究中，他和合作者構(gòu)建出一種基于硒化銦的理想彈道輸運(yùn)晶體管，在單個(gè)器件層面首次實(shí)現(xiàn)能效超越硅基技術(shù)，從實(shí)驗(yàn)角度回答了二維器件是否能超越硅的核心科學(xué)問題。
而在最新發(fā)表于 Science 的工作中，他和合作者再次實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵性突破，攻克了硒化銦半導(dǎo)體集成制造的難題，首次將二維硒化銦器件從“單器件”推向“晶圓級平臺(tái)”，成功實(shí)現(xiàn)大面積可集成的二維電子器件，為后摩爾時(shí)代的芯片技術(shù)打開了新的可能。 |
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