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投資60億元 國內又一氮化鎵項目開工
文章來源:半導體行業觀察     更新時間:2020-01-13 16:11:27

江蘇省2020年重大產業項目近日集中開工。在徐州經濟技術開發區內,天和通訊(徐州)第三代半導體產業基地項目也邁出了決定意義的一步。記者了解到,該項目總投資達到60億元,建筑面積42萬平方米,主要從事第三代半導體硅基氮化鎵高性能芯片和器件的全產業鏈生產。項目全面達產后,可年產33密耳、55密耳、70密耳芯片200億顆及各類5G芯片共約10億顆。

 

據介紹,西安天和通訊科技有限公司旗下眾拓光電科技有限公司是一家擁有國際領先技術的硅基第三代半導體材料及器件研發、生產與銷售的高新技術企業,擁有第三代半導體全套研發與生產技術。天和通訊眾拓光電第三代半導體(徐州)產業基地項目的實施,將實現第三代半導體材料與器件大規模量產,帶動產業鏈超過500億元。特別是大功率LED芯片規模將達到全球第二位,將為徐州構建第三代半導體全產業鏈、打造全國集成電路及ICT產業新高地提供強力支撐。項目全部建成后,徐州經開區也將成為國內最大的第三代半導材料及器件生產研發基地之一。(揚子晚報/紫牛新聞記者馬志亞)

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