久久精品免费观看_欧美日韩精品电影_91看片一区_日日夜夜天天综合

　　研究論文通訊作者、麻省理工學(xué)院的賈加迪什·穆德拉指出，他們通過分子束外延過程制造出了這款薄膜半導(dǎo)體。該過程需要精確控制分子束，逐個原子地構(gòu)建材料，這樣獲得的材料瑕疵最小最少，從而實現(xiàn)更高的電子遷移率。

　　研究人員向這種薄膜半導(dǎo)體施加電流時，記錄到電子以10000平方厘米/伏秒的破紀(jì)錄速度遷移。相比之下，在標(biāo)準(zhǔn)硅半導(dǎo)體內(nèi)，電子的遷移速度通常約為1400平方厘米/伏秒;在傳統(tǒng)銅線中則更慢。

　　研究人員將這種薄膜半導(dǎo)體比作“不堵車的高速公路”，認(rèn)為這有助于研制更高效、更可持續(xù)的電子設(shè)備，如自旋電子設(shè)備和可將廢熱轉(zhuǎn)化為電能的可穿戴熱電設(shè)備。

　　研究團(tuán)隊指出，即使材料中最微小的瑕疵也會阻礙電子運(yùn)動，從而影響電子遷移率。他們希望進(jìn)一步改進(jìn)制作過程，讓薄膜變得更纖薄，從而更好地應(yīng)用于未來的自旋電子設(shè)備和可穿戴熱電設(shè)備。

　　總編輯圈點(diǎn)：

　　薄膜半導(dǎo)體由于具有高電子遷移率、可調(diào)控的能帶結(jié)構(gòu)、優(yōu)異的光電性能等，在電子器件、光電器件等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。人們對薄膜半導(dǎo)體的研究早在20世紀(jì)50年代就已開始，迄今已非常成熟。但隨著納米技術(shù)和柔性電子技術(shù)的大幅進(jìn)步，以及類似本文中電子遷移率刷新的成果出現(xiàn)，薄膜半導(dǎo)體將迎來質(zhì)的飛躍。