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　　研究論文通訊作者、麻省理工學院的賈加迪什·穆德拉指出，他們通過分子束外延過程制造出了這款薄膜半導體。該過程需要精確控制分子束，逐個原子地構建材料，這樣獲得的材料瑕疵最小最少，從而實現更高的電子遷移率。

　　研究人員向這種薄膜半導體施加電流時，記錄到電子以10000平方厘米/伏秒的破紀錄速度遷移。相比之下，在標準硅半導體內，電子的遷移速度通常約為1400平方厘米/伏秒;在傳統銅線中則更慢。

　　研究人員將這種薄膜半導體比作“不堵車的高速公路”，認為這有助于研制更高效、更可持續的電子設備，如自旋電子設備和可將廢熱轉化為電能的可穿戴熱電設備。

　　研究團隊指出，即使材料中最微小的瑕疵也會阻礙電子運動，從而影響電子遷移率。他們希望進一步改進制作過程，讓薄膜變得更纖薄，從而更好地應用于未來的自旋電子設備和可穿戴熱電設備。

　　總編輯圈點：

　　薄膜半導體由于具有高電子遷移率、可調控的能帶結構、優異的光電性能等，在電子器件、光電器件等領域具有廣泛的應用前景。人們對薄膜半導體的研究早在20世紀50年代就已開始，迄今已非常成熟。但隨著納米技術和柔性電子技術的大幅進步，以及類似本文中電子遷移率刷新的成果出現，薄膜半導體將迎來質的飛躍。